從剪紙到摩爾定律:胡正明院士

2016工研院新科院士胡正明在11月接受總統蔡英文授證,事實上,胡正明在五月才從美國總統歐巴馬手上接下了「美國國家技術創新獎」,這是美國表彰科技貢獻的最高獎項。一年之內先後接受兩位總統授證殊榮,胡正明在科學領域的成就不言可喻。

胡正明院士

胡正明曾任台積電技術長,現在是美國加州柏克萊大學台積電講座教授,對全球半導體發展的影響力極大,與台積電董事長張忠謀同屬半導體教父級的人物。

很多人都聽過英特爾知名的「摩爾定律」(意指IC上可容納的晶體管數目,每隔十八個月便會增加一倍,性能也將提升一倍),但可能不知道五年前摩爾定律就到極限,而突破那個極限的人是胡正明。

胡正明所發明的三維「鰭型電晶體」(FinFET),以及「完全空乏型電晶體」(FD-SOI),兩大革命性創新為半導體帶來新契機。2011年五月英特爾宣布使用FinFET技術,包括台積電、三星、蘋果也都陸續採用FinFET。胡正明的貢獻,由此可知。

「過去我們一直用平面結構來思考晶圓的發展,因此尺寸的縮小就有了極限,最後在發現電晶體不必是平面之後,既有的定律就會被打破。」胡正明深入淺出地說明了他研發技術的精髓所在。

同時胡正明以「創新不是目標,解決問題才是,解決問題就是創新。」這幾句話來勉勵下世代的科技青年。他自身也正是透過不斷的解決問題、進行創新,創造出如此卓越的貢獻。

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談起超越摩爾定律對他的意義,胡正明舉兒時回憶為例,他說,很小的時候,就一直思考一個問題:一張紙剪一半、再剪一半,可以剪到多小?這個問題始終困擾著他。剪紙與摩爾定律,都存在極限的問題,或許,這股內心想追求解答的動力,即是成就胡正明發明微縮晶片技術,根深柢固的潛在因子。

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